HEMT
【HEMT/えっちいーえむてぃー】

high electron mobility transistor

　半導体のヘテロ接合の界面に発生する、高い移動度(変調ドープ構造)の電子を利用する電界効果トランジスタ。一般には、ヘテロ接合ゲート・トランジスタと呼ばれる。また、MODFETともいう。1980年に富士通研究所で開発された。高速かつ低雑音で動作させることができる。ガリウム・ヒ素/アルミニウム・ガリウム・ヒ素を用いたHEMTは、衛星放送受信の初段増幅器として広く実用化されている。また、インジウム・リンを基板としたインジウム・ガリウム・ヒ素のほか種々の混晶を用いたものが開発されている。

朝日新聞社 「知恵蔵2009」 JLogosID : 14825056