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MOSトランジスタ
【もすとらんじすた/MOSとらんじすた/えむおーえすとらんじすた】


MOS transistor

 MOS(金属酸化膜半導体)構造のゲート電極を持つ電界効果トランジスタゲート電圧によりソースドレイン間の電流を制御し、電気信号の増幅とスイッチングの動作を行う。ゲートソース間に電圧をある程度以上かけるとオン、それ以下ではオフになる電圧があり、閾値電圧(スレッショルド電圧)と呼ばれる比較的小さい消費電力で動作し、高密度に集積できるのが特徴。バイポーラ型ほど速くはないが、素子寸法を小さくすることで高速化が可能。今日のVLSI構成する基本素子として微細化の研究開発が一層進んでいる。




朝日新聞社
「知恵蔵2009」
JLogosID : 14825138