磁気抵抗ランダムアクセスメモリー
【じきていこうらんだむあくせすめもりー】

magnetoresistive random access memory ；MRAM

ナノ磁石の磁化の向きで情報を記憶するメモリー。半導体メモリDRAMにおけるキャパシタ部分を磁気トンネル接合(MTJ)に置き換えたような構造になっている。メモリの電源が切られても記憶が消えないこと(不揮発性)と読み書き速度が速いことが特徴。近年、スピン注入磁化反転の手法を用いることで高集積化、低消費電力化が可能となり、商品化に向けてさかんに研究が行われている。
(索引:p.10「人工ナノ磁石の多様性」)

丸善 「パリティ」 JLogosID : 5600233