ＰＩＩＩ

plasma immersion ion implantation

プラズマ浸積イオン注入. 半導体集積回路の製造方法.
ｐｌａｓｍａ ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ; ｏｒ Ｃｏｎｒａｄ ｐｒｏｃｅｓｓ; ｏｒ (ｓｏ ｐｒｅｖｉｏｕｓｌｙ ｃａｌｌｅｄ)ＰＳＩＩ(ｐｌａｓｍａ ｓｏｕｒｃｅ ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ); ａｎ ＩＣ(ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｔ) ｄｏｐｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ; ａ ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ, ｃｌｕｓｔｅｒ ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ, ｓｕｉｔａ

丸善 「略語大辞典」 JLogosID : 11855804