ＩＤＰ

in-situ phosphorous-doped polysilicon (technique)

その場燐添加多結晶シリコン(技術). トランジスタ製造技術.
ｉｎ-ｓｉｔｕ ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ-ｄｏｐｅｄ ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ (ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ); ａ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｔｏ ｆｏｒｍ ｕｌｔｒａ-ｓｈａｌｌｏｗ ｅｍｉｔｔｅｒ ｆｏｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ; ｌｏｗ-ｔｅｍｐｅｒｔｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ａｎｄ ｌａｒｇｅ-ｇｒａｉｎ-ｓｉｚｅ ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ ａｒｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ａｖｏｉｄ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｅｍｉｔｔｅｒ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ａｎｄ

丸善 「略語大辞典」 JLogosID : 11878055