SOI技術
【SOIぎじゅつ/えすおーあいぎじゅつ】

silicon on insulator technology

　絶縁膜の上にシリコン結晶薄膜を形成し、そのシリコン結晶上にMOSトランジスタを作製する技術。トランジスタ電極の静電容量を減らすことができるので、高速化、低消費電力化に有利。シリコン・ウエハの表面から酸素イオンを打ち込み、表面から1μm(マイクロメートル)下に酸化膜を形成するSIMOX(サイモックス)構造や表面を酸化したウエハを貼り合わせたボンデッド・ウエハが開発されている。IBMが1999年、SOIを使ったマイクロプロセッサーの開発に成功、処理スピードを従来の技術に比べ30%程度向上させたことから一躍注目を集めた。今後、ゲーム機やサーバー・コンピューターなど高性能機器への搭載が考えられている。

朝日新聞社 「知恵蔵2009」 JLogosID : 14825067