SOI
【エスオーアイ】

Silicon on Insulator/シリコン・オン・インシュレーター/シリコンオンインシュレーター

絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とした半導体、および半導体技術。IBM社が開発した。{LF}SOI技術によって、プロセッサ基板上のトランジスタ層から絶縁層を超えて流れ出る電荷の停留を45%減らすことができる。これにより、同じクロックスピードで動作する類似のチップと比べて、SOIを採用したチップは性能が最大で30%向上するか、あるいは電力消費を半分に減らすことができるとされている。ただ、現行ではSOI技術は工程が複雑なことと、コストがやや高い。{LF}トランジスタを作るためのシリコン結晶薄膜は純粋なシリコン結晶である。これに対して、その下の絶縁膜は完全な結晶ではないので、その上に完全な結晶を形成することは難しいとされていたが、IBM社は「サイモックス」(SIMOX：Separation by Implantation of Oxygen)と呼ばれる技術を用いて、これを克服した。これは、シリコン結晶表面からわずかに深い部分に酸素分子を埋め込み、それを高熱で酸化させることにより、酸化物絶縁層とその上のシリコン結晶薄膜を作るという技術である。
◆関連用語
半導体;IBM;トランジスタ;チップ

インセプト 「IT用語e-Words」 JLogosID : 7794114