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SOI技術
【SOIぎじゅつ/えすおーあいぎじゅつ】


silicon on insulator technology

 絶縁膜の上にシリコン結晶薄膜を形成し、そのシリコン結晶上にMOSトランジスタを作製する技術。トランジスタ電極の静電容量減らすことができるので、高速化、低消費電力化に有利。シリコン・ウエハの表面から酸素イオンを打ち込み、表面から1μm(マイクロメートル)下に酸化膜形成するSIMOX(サイモックス)構造や表面を酸化したウエハを貼り合わせたボンデッド・ウエハが開発されている。IBM1999年SOIを使ったマイクロプロセッサーの開発に成功、処理スピードを従来の技術に比べ30%程度向上させたことから一躍注目を集めた。今後、ゲーム機やサーバーコンピューターなど高性能機器への搭載が考えられている。




朝日新聞社
「知恵蔵2009」
JLogosID : 14825067